RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 12, страницы 1666–1670 (Mi phts7774)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Лазерная генерация в микродисках сверхмалого диаметра

А. Е. Жуковabc, Н. В. Крыжановскаяbc, М. В. Максимовac, А. А. Липовскийac, А. В. Савельевabc, А. А. Богдановac, И. И. Шостакa, Э. И. Моисеевa, Д. В. Карповad, J. Laukkanend, J. Tommilae

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский научный центр Российской академии наук, 199034 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
d Institute of Photonics, University of Eastern Finland, 80130 Joensuu, Finland
e Optoelectronics Research Centre, Tampere University of Technology, 33101 Tampere, Finland

Аннотация: Проведены расчеты и представлены экспериментальные результаты, демонстрирующие возможность достижения лазерной генерации при комнатной температуре на основном оптическом переходе квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs в оптических микрорезонаторах, имеющих рекордно малый диаметр 1.5 мкм. В резонаторах размером 1 мкм генерация возникает на длине волны одной из мод шепчущей галереи в пределах полосы первого возбужденного перехода.

Поступила в редакцию: 05.06.2014
Принята в печать: 16.06.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:12, 1626–1630

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025