RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 12, страницы 1671–1675 (Mi phts7775)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Преобразование солнечной энергии с использованием комбинации фотоэлектрических преобразователей с базовыми слоями CdTe и CuInSe$_2$

Г. С. Хрипуновa, Е. И. Соколa, Ю. И. Якименкоb, А. В. Мериуцa, А. В. Иващукb, Т. Н. Шелестa

a Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 61002 Харьков, Украина
b Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт", НИИ Прикладной электроники, 03056 Киев, Украина

Аннотация: Экспериментально доказана возможность совместного использования двухсторонне чувствительных пленочных солнечных элементов на основе CdTe и фронтальных солнечных элементов с базовым слоем CuInSe$_2$ в тандемных структурах. Установлено, что для использования в тандемной структуре оптимальная толщина базового слоя двусторонне чувствительных солнечных элементов на основе теллурида кадмия составляет 1 мкм. Выигрыш в коэффициенте полезного действия исследованных тандемных структур по сравнению с коэффициентом полезного действия отдельного солнечного элемента на основе CuInSe$_2$ составляет 1.8% при последовательном и 1.3% при параллельном соединении солнечных элементов.

Поступила в редакцию: 23.01.2014
Принята в печать: 11.03.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:12, 1631–1635

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025