RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 12, страницы 1697–1703 (Mi phts7779)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние времени жизни фотонов в оптическом микрорезонаторе на характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с легированными распределенными брэгговскими отражателями и оксидной токовой апертурой

М. А. Бобровa, С. А. Блохинa, А. Г. Кузьменковab, Н. А. Малеевa, А. А. Блохинc, Ю. М. Задирановa, Е. В. Никитинаd, В. М. Устиновa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
d Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследовано влияние времени жизни фотонов в оптическом микрорезонаторе на характеристики вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ) спектрального диапазона 850 нм с легированными распределенными брэгговскими отражателями и оксидной токовой апертурой. Управление временем жизни фотонов в микрорезонаторе осуществлялось путем изменения коэффициента отражения верхнего брэгговского отражателя. Обнаружено, что быстродействие ВИЛ с диаметром токовой апертуры 10 мкм в основном лимитируется эффектом саморазогрева, несмотря на рост коэффициента затухания релаксационных колебаний при увеличении времени жизни фотонов в микрорезонаторе. В то же время более высокий уровень внутренних оптических потерь в лазерах с диаметром токовой апертуры 1.5 мкм приводит к доминированию эффекта демпфирования релаксационных колебаний независимо от уровня потерь на вывод излучения. В случае приборов с диаметром токовой апертуры 5.5 мкм действуют оба механизма, лимитирующих быстродействие, что позволило увеличить частоту эффективной модуляции ВИЛ с 21 до 24 ГГц при уменьшении времени жизни фотонов с 3.7 до 0.8 пс.

Поступила в редакцию: 20.05.2014
Принята в печать: 30.05.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:12, 1657–1663

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025