Особенности электрических свойств кристаллов селенида цинка, легированных индием

В интервале температур ${77\div300}$ K исследовались коэффициент Холла, электропроводность и подвижность электронов в кристаллах $n$-ZnSe, отожженных в расплаве Zn с добавкой легирующей примеси In от 0.01 до 80 ат%. Установлено, что атомы In создают в ZnSe донopные уровни лишь при малых концентрациях вводимой примеси. С увеличением количества вводимых в кристалл атомов In возрастает концентрация компенсирующих акцепторов. Имеет место процесс самокомпенсации мелкой донорной примеси.
Предлагается модель, объясняющая смену донорного проявления индия в $n$-ZnSe акцепторным с ростом уровня легирования.