RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 12, страницы 1704–1712 (Mi phts7780)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов

Б. И. Фукс

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия

Аннотация: Эффективность кремниевого солнечного элемента можно значительно повысить за счет сильного снижения темнового тока, заменив сплошные сильно легированные слои множеством малых сильно легированных областей, расстояния между которыми намного больше их размера. Эффект обусловлен тем, что основной вклад в темновой ток вносит поверхностная рекомбинация, которая сильно растет с усилением легирования вблизи границы с диэлектриком. Показано, что имеется оптимальное соотношение расстояний между областями и их размеров, при котором темновой ток сильно подавлен, но нет заметного снижения фототока из-за ухудшения условий собирания неосновных носителей и не вносится значительное последовательное сопротивление. При этом существенно растут рабочее напряжение и эффективность солнечного элемента.

Поступила в редакцию: 19.12.2013
Принята в печать: 03.06.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:12, 1664–1673

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025