Влияние отжига на кинетические свойства и зонные параметры полупроводниковых кристаллов Hg$_{1-x-y}$Cd$_x$Eu$_y$Se

Представлены результаты исследования кинетических свойств полупроводниковых кристаллов Hg$_{1-x-y}$Cd$_x$Eu$_y$Se, проведенного в интервале температур $T$ = 77–300 K и магнитных полей $H$ = 0.5–5 кЭ до и после термообработки образцов в парах Se. Установлено, что отжиг образцов в парах Se приводит к уменьшению концентрации электронов. Из концентрационной зависимости эффективной массы электронов на уровне Ферми определена ширина запрещенной зоны, матричный элемент межзонного взаимодействия, эффективная масса электрона на дне зоны проводимости.