Х. Сохраби Анараки, Н. В. Гапоненко, М. В. Руденко, А. Ф. Гук, С. М. Завадский, Д. А. Голосов, Б. С. Колосницын, В. В. Колос, А. Н. Петлицкий, А. С. Турцевич, “Синтез пленок титаната стронция золь–гель методом и перспективы их применения в электронной технике”, Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 12,страницы 1724

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Синтез пленок титаната стронция золь–гель методом и перспективы их применения в электронной технике

Х. Сохраби Анараки^a, Н. В. Гапоненко^a, М. В. Руденко^a, А. Ф. Гук^a, С. М. Завадский^a, Д. А. Голосов^a, Б. С. Колосницын^a, В. В. Колос^b, А. Н. Петлицкий^b, А. С. Турцевич^b

^a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Белоруссия
^b ОАО "ИНТЕГРАЛ", 220108 Минск, Белоруссия

Аннотация: Золь-гель методом получены пленки титаната стронция на подложках кремния и структурах кремний/оксид титана/платина. Фаза титаната стронция зарегистрирована методом рентгенофазового анализа после термообработки при температурах 750 и 800$^\circ$C. Толщина пленок, полученных методом центрифугирования, возрастает от 50 до 250 нм с увеличением числа формируемых слоев и сопровождается ростом ее зерна. Обсуждаются перспективы развития золь-гель метода для формирования пленочных элементов электронной техники на основе ксерогелей SrTiO$_3$.

Поступила в редакцию: 20.05.2014
Принята в печать: 30.05.2014