RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 3, страницы 123–129 (Mi phts7784)

XXIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 10-14 марта 2025 г.

Энергоэффективные и стабильные резистивные переключения в нанокристаллах диоксида ванадия

К. Е. Капогузовab, С. В. Мутилинa, Д. М. Милюшинab, В. Б. Калининаab, Б. В. Волошинa, И. В. Корольковc, В. Н. Кичайc, Л. В. Яковкинаc, В. А. Селезневa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
c Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Исследуется электрически инициированный фазовый переход полупроводник–металл в сформированных поликристаллических пленках, массивах нанокристаллов и одиночных нанокристаллах диоксида ванадия. В массиве нанокристаллов продемонстрировано увеличение скачка тока при фазовом переходе примерно на порядок по сравнению со сплошными пленками, что согласуется с моделью параллельных сопротивлений. Показано, что пороговая мощность на переключение снижается на 4–5 порядков при переходе от сплошной пленки к одиночным нанокристаллам за счет меньшего отвода тепла и достигает величины около 40 нВт. Нанокристаллы диоксида ванадия продемонстрировали высокую стабильность при переключениях не менее 10$^{10}$ раз. Полученные результаты перспективны для формирования энергоэффективных, стабильных и долговечных переключающих элементов на основе одиночных нанокристаллов диоксида ванадия.

Ключевые слова: диоксид ванадия, фазовый переход полупроводник-металл, резистивные переключатели, наноструктуры, пороговая мощность, стабильность переключений.

Поступила в редакцию: 26.03.2025
Исправленный вариант: 23.06.2025
Принята в печать: 23.06.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.03.61089.7734



© МИАН, 2025