RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 3, страницы 136–140 (Mi phts7786)

XXIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 10-14 марта 2025 г.

Эластичный светодиод на основе InGaN/GaN-нитевидных микрокристаллов с растяжимыми электродами на основе текстурированных одностенных углеродных нанотрубок и полидиметилсилоксана

Д. Е. Колесинаa, Ф. М. Кочетковab, А. А. Воробьевa, К. Н. Новиковаa, А. С. Голтаевa, И. С. Мухинab

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлено создание эластичного светодиода на основе инкапсулированного массива нитевидных микрокристаллов структуры “ядро-оболочка” InGaN/GaN в коммерческий полидиметисилоксан “Sylgard 184”. Для улучшения электрических, механических свойств и удобства измерений методом проекционной оптической литографии были созданы верхний – адресный и нижний – общий пиксельные электроды. Были измерены электрофизические и оптические характеристики устройства, которые показывают, что светодиод, излучающий в синем спектральном диапазоне, обладает стабильной работой при растяжении на 10%.

Ключевые слова: эластичная электроника, синие светодиоды, А$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидные микрокристаллы, ПДМС, углеродные нанотрубки, проекционная оптическая литография.

Поступила в редакцию: 26.03.2025
Исправленный вариант: 23.06.2025
Принята в печать: 23.06.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.03.61091.7749



© МИАН, 2025