Физика и техника полупроводников,
2025, том 59, выпуск 3,страницы 136–140(Mi phts7786)
XXIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 10-14 марта 2025 г.
Эластичный светодиод на основе InGaN/GaN-нитевидных микрокристаллов с растяжимыми электродами на основе текстурированных одностенных углеродных нанотрубок и полидиметилсилоксана
Аннотация:
Представлено создание эластичного светодиода на основе инкапсулированного массива нитевидных микрокристаллов структуры “ядро-оболочка” InGaN/GaN в коммерческий полидиметисилоксан “Sylgard 184”. Для улучшения электрических, механических свойств и удобства измерений методом проекционной оптической литографии были созданы верхний – адресный и нижний – общий пиксельные электроды. Были измерены электрофизические и оптические характеристики устройства, которые показывают, что светодиод, излучающий в синем спектральном диапазоне, обладает стабильной работой при растяжении на 10%.