RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 1, страницы 3–8 (Mi phts7794)

Эта публикация цитируется в 20 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Сверхструктурное упорядочение в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$As и Ga$_x$In$_{1-x}$P

П. В. Серединa, Э. П. Домашевскаяa, И. Н. Арсентьевb, Д. А. Винокуровb, А. Л. Станкевичb, T. Prutskijc

a Воронежский государственный университет
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Instituto de Ciencias, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Privada 17 Norte, No 3417, Col San Miguel Huyeotlipan, 72050, Puebla, Pue., Mexico

Аннотация: Изучены МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе тройных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As и Ga$_x$In$_{1-x}$P, полученные в области составов $x\approx$ 0.50. Используя методы рентгеновской дифракции, растровой электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии и фотолюминесцентной спектроскопии было показано, что возможно образование сверхструктурных фаз упорядочения со стехиометрией A$_{1-\eta}$B$_{1+\eta}$C$_2$. Следствием этого является не только изменение кристаллической симметрии нового соединения с кубической на тетрагональную, но и изменение оптических свойств по отношению к неупорядоченному твердому раствору аналогичного состава.

Поступила в редакцию: 11.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:1, 1–6

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025