Свойства эпитаксиальных твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$C$_y$, выращенных МОС-гидридной автоэпитаксией

Рост эпитаксиальных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As : C методом МОС-гидридной эпитаксии при низких температурах приводит к образованию четверных твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$C$_y$, в которых атомы углерода могут концентрироваться на дефектах кристаллической решетки эпитаксиального твердого раствора с образованием нанокластеров примеси.