RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 1, страницы 18–23 (Mi phts7797)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Электронные свойства полупроводников

Особенности энергетического спектра и механизмов рассеяния дырок в PbSb$_2$Te$_4$

С. А. Немовab, Н. М. Благихa, Л. Е. Шелимоваc

a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, г. Москва

Аннотация: На серии кристаллов PbSb$_2$Te$_4$ легированных медью, с различной концентрацией дырок (1.6 – 3.2) $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$ исследованы кинетические коэффициенты Холла $R_{ikl}$, электропроводности $\sigma_{kk}$, термоэдс $\alpha_{kk}$ и их анизотропия в диапазоне температур 77–450 K. Наблюдаемая во всех исследованных кристаллах анизотропия термоэдс свидетельствует о смешанном механизме рассеяния дырок. Основными механизмами рассеяния являются рассеяние на акустических фононах и кулоновском потенциале примесей и дефектов. Определены экспериментальные эффективные параметры рассеяния и парциальные подвижности в плоскости скола и вдоль тригональной оси. Теоретические оценки подвижности находятся в удовлетворительном согласии с экспериментом. Установлено, что характер температурной зависимости отношения $\alpha_{kk}/T=f(T)$ определяется величиной концентрации дырок. Показано, что для кристалла с $p_{min}$ = 1.6 $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$ электрофизические свойства могут быть описаны в рамках однозонной модели, оценена величина эффективной массы плотности состояний дырок в основном экстремуме валентной зоны $m_d\approx$ 0.5$m_0$. Сделана оценка энергетического зазора между экстремумами валентной зоны $\Delta E_v\approx$ 0.23 эВ.

Поступила в редакцию: 16.07.2012
Принята в печать: 25.07.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:1, 16–21

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025