Время жизни носителей заряда в квантовых точках при низких температурах

Экспериментально и теоретически изучено время жизни неравновесных носителей заряда в квантовой точке. Показано, что при низких температурах, когда полностью заполнено основное состояние, время жизни практически не зависит от плотности возбуждения и определяется только процессом излучательной рекомбинации. Дано теоретическое объяснение такого поведения и показано, что при условии полного заполнения основного состояния процесс оже-рекомбинации может быть подавлен за счет влияния спиновых эффектов. Проведено микроскопическое описание механизма подавления процесса оже-рекомбинации в такой системе.