RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 7, страницы 1257–1260 (Mi phts780)

Температурная зависимость емкости карбид-кремниевых $p{-}n$-переходов

П. А. Иванов, В. Ю. Качоровский, Я. В. Морозенко, А. В. Суворов


Аннотация: Обнаружена сильная температурная зависимость напряжения емкостной отсечки $U_{0}$ в карбид-кремниевых $p{-}n$-переходах с линейным профилем распределения концентрации легирующих примесей. При высоких температурах величина $U_{0}$ значительно меньше полной контактной разности потенциалов на выпрямляющей структуре. Наблюдаемый эффект объяснен в рамках расчета, учитывающего неполную ионизацию доноров и акцепторов в $p{-}n$-переходе. Указан критерий необходимости учета частичной ионизации примесей. Полученное выражение для температурной зависимости $U_{0}$ применимо к любым $p{-}n$-переходам с неполной ионизацией легирующих примесей.



© МИАН, 2024