Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs

С помощью спектроскопии фотолюминесценции проведены поляризационные исследования InGaAs КТ, синтезированных в режиме субмонослойного осаждения (СМКТ) на сингулярной поверхности GaAs (100). Исследовано влияние эффективного содержания In в InGaAs КТ и широкозонной матрицы AlGaAs на оптическую анизотропию КТ. Максимальная ($>$ 15%) оптическая анизотропия излучения с основного состояния InGaAs СМКТ между направлениями [011] и $[01\bar1]$ наблюдается при эффективном содержании In $\sim$ 40%. Применение широкозонной матрицы AlGaAs позволило увеличить оптическую анизотропию InGaAs СМКТ в 1.5 раза. Обнаружено, что вертикальное складирование In(Ga)As/AlGaAs СМКТ в режиме вертикального связывания (разделяющие слои 5–10 нм) ведет к дальнейшему росту степени оптической анизотропии (в среднем до 25%). Согласно данным просвечивающей электронной микроскопии, оптическая анизотропия фотолюминесценции в основном обусловлена анизотропией латеральных размеров КТ по направлениям [011] и $[01\bar1]$.