RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 174–177 (Mi phts7820)

Эта публикация цитируется в 1 статье

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Кремниевые детекторы с вольт-амперной характеристикой “идеального” диода в приборостроении

В. Л. Суханов, П. Н. Аруев, М. В. Дроздова, Н. В. Забродская, В. В. Забродский, М. С. Лазеева, В. В. Филимонов, Е. В. Шерстнев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предельно малый уровень собственных шумов кремниевых детекторов с вольт-амперной характеристикой “идеального” диода позволил создать системы детектирования токовых сигналов на уровне до 10$^{-16}$ A, одновременно имеющие динамический диапазон измерения порядка 10$^{11}$ – 10$^{12}$.

Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:2, 209–212

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025