Восстановление фотоответа кремниевых фотодиодов после облучения в вакуумном ультрафиолете

Проведено исследование пространственной однородности фотоответа кремниевых фотодиодов на основе $p$–$n$- и $n$–$p$-переходов через год после облучения на длине волны 121.6 нм, а также $n$–$p$-переходов через четыре года после облучения в области мягкого рентгена. Показано, что исследуемые кремниевые фотодиоды на основе $p$–$n$-переходов демонстрируют эффект восстановления фотоответа после облучения на длине волны 121.6 нм. У кремниевых фотодиодов на основе $n$–$p$-структур эффект восстановления фотоответа не был обнаружен.