RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 211–215 (Mi phts7827)

Эта публикация цитируется в 12 статьях

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Кремний с повышенным содержанием одноатомных центров серы: получение и оптическая спектроскопия

Ю. А. Астровa, S. A. Lynchb, В. Б. Шуманa, Л. М. Порцельa, А. А. Маховаa, А. Н. Лодыгинa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b School of Physics and Astronomy, Cardiff University, United Kingdom

Аннотация: Изучался эффект высокотемпературного прогрева (при 1340$^\circ$C) образцов легированного серой кремния с последующей закалкой. Результат такой обработки исследовался с помощью измерений эффекта Холла в температурной области $T$ = 78–500 K. Обнаружено, что длительность прогрева существенно влияет на соотношение концентраций глубоких донорных центров серы разного типа. При относительно малых временах прогрева, $t$ = 2–10 мин, наблюдается значительное уменьшение концентрации квазимолекулярных центров S$_2$, а также комплексов $S_X$, тогда как плотность одноатомных центров S$_1$ растет. В то же время прогрев образцов сопровождается монотонным снижением во времени полной концентрации электрически активной серы. Проведенные исследования позволяют дать рекомендации относительно оптимальных условий получения образцов с высокой концентрацией S$_1$ центров. Спектры поглощения образцов показывают перспективы метода для задач наблюдения ряда квантово-оптических эффектов с участием глубоких доноров S$_1$ в кремнии.

Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 17.07.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:2, 247–251

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025