RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 216–222 (Mi phts7828)

Эта публикация цитируется в 16 статьях

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Упорядоченные массивы наностержней оксида цинка на кремниевых подложках

А. Н. Редькин, М. В. Рыжова, Е. Е. Якимов, А. Н. Грузинцев

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия

Аннотация: Обобщены результаты экспериментальных исследований по газофазному выращиванию из элементов упорядоченных массивов наностержней оксида цинка на кремниевых подложках. Представлена модель “самокаталитического” роста наностержней ZnO по механизму пар-жидкость-кристалл, в которой роль катализатора направленного роста выполняют капли жидкого цинка. Разработанный метод позволяет осаждать упорядоченные массивы наностержней оксида цинка на кремниевых подложках различной ориентации без предварительного нанесения металла-катализатора или тонкого зародышевого слоя ZnO. Рассмотрено влияние различных факторов на скорость роста, размеры, форму и упорядоченное расположение наностержней ZnO. Полученные наностержни оксида цинка представляют собой высокочистые монокристаллы с малым содержанием точечных дефектов, пригодные для практического применения в оптоэлектронике, сенсорной и микросистемной технике.

Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:2, 252–258

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025