RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 228–232 (Mi phts7830)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Закономерности образования дислокационных сеток на границе сращённых пластин Si(001)

В. И. Вдовин, Е. В. Убыйвовк, О. Ф. Вывенко

Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии выполнено исследование дислокационных сеток в структурах с гидрофильным соединением пластин Si(001). Наблюдались сетки с различной геометрией и типом доминирующих дислокаций. Один тип сеток, типичный для сращённых структур, формируется на основе квадратной сетки винтовых дислокаций и содержит систему однонаправленных 60-градусных дислокаций зигзагообразной формы. Установлено, что такие дислокационные сетки являются плоскими в структурах с азимутальной разориентацией пластин более 2$^\circ$, а при меньших углах разориентации – трехмерными. Уникальная сетка другого типа образована только 60-градусными дислокациями, преобладающая доля которых вытянута вдоль одного направления, не совпадающего с направлениями $\langle$110$\rangle$ в плоскости соединения, и имеет ряд специфических особенностей, объяснение которых невозможно в рамках общепринятых представлений.

Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 17.07.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:2, 264–268

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025