RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 233–238 (Mi phts7831)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Оптические свойства кремния с высоким содержанием бора

Л. И. Хируненко, Ю. В. Помозов, М. Г. Соснин

Институт физики НАН Украины, г. Киев

Аннотация: В кремнии с высоким содержанием бора и кислорода после воздействия света со спектральным составом, близким к солнечному излучению, интенсивностью 70–80 мВт/см$^2$, обнаружено появление дефекта, которому при гелиевых температурах соответствует полоса поглощения 1026.7 cм$^{-1}$. Показано, что компонентами дефекта являются атомы бора и кислорода. Дефект возникает при наличии значительной концентрации свободных носителей тока, возникающих вследствие воздействия света или термообработок при протекании слабых токов через образец. Предполагается, что дефект может возникать как в результате прямого взаимодействия компонент, так и через предвестники стабильной его формы. Показано, что легирование кремния германием снижает эффективность образования дефекта, которому соответствует выявленное поглощение.

Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:2, 269–274

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025