RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 7, страницы 1278–1282 (Mi phts784)

Долгоживущие возбужденные состояния бора в алмазе

О. И. Смирнова, Э. Э. Годик, А. Г. Гонтарь


Аннотация: Исследована прыжковая фотопроводимость по долгоживущим возбужденным состояниям бора в алмазе. Определены энергии ионизации и времена жизни этих состояний. Показано, что захват дырок на глубокие состояния происходит с испусканием оптических фононов.



© МИАН, 2024