Влияние легирующих изовалентных примесей Bi на формирование однородных когерентно-напряженных квантовых точек InAs в матрице GaAs

В рамках модели деформационного потенциала рассчитаны распределения всесторонней деформации в материале квантовых точек InAs с примесью Bi$^{3+}$ в матрице GaAs. Получены зависимости деформации материала сферических квантовых точек InAs с примесью замещения (Bi $\to$ As) и внедрения (Bi) от размера квантовой точки. Обсуждается качественное сопоставление модели с экспериментом. Получены данные о влиянии легирования на морфологию самоорганизованных квантовых точек InAs:Bi в матрице GaAs.