К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах $n$-Si

Получены аномальные температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов $\rho_c(T)$ Pd$_2$S–Ti–Au к шлифованному $n$-Si с концентрацией легирующей примеси 5 $\cdot$ 10$^{16}$, 3 $\cdot$ 10$^{17}$ и 8 $\cdot$ 10$^{17}$ см$^{-3}$. Аномальные зависимости $\rho_c(T)$ были объяснены в предположении протекания тока по наноразмерным металлическим шунтам, совмещенным с дислокациями с учетом диффузионного ограничения подвода носителей. Определены плотности проводящих и рассеивающих дислокаций в приконтактной области полупроводника.