RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 4, страницы 433–434 (Mi phts7867)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Экспериментальное наблюдение гигантского зеемановского расщепления уровня легкой дырки в квантовой яме GaAs/AlGaAs

П. В. Петров, Ю. Л. Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Экспериментально, методом измерения поляризованной фотолюминесценции в магнитном поле, измерена величина парамагнитного расщепления уровня легкой дырки в квантовой яме GaAs/AlGaAs. Обнаружено ранее предсказанное теоретически явление гигантского расщепления, приводящее к увеличению $g$-фактора легкой дырки до 9.4.

Поступила в редакцию: 25.09.2012
Принята в печать: 17.10.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:4, 455–456

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025