Исследование фотомодулированного отражения монокристаллов 6H-SiC

Исследовано влияние ультрафиолетового облучения поверхности монокристаллов карбида кремния (6H-SiC) на их оптическое отражение в видимой и фиолетовой областях спектра. Показано, что сигнал фотоотражения максимален при падении света под углом Брюстера с поляризацией, параллельной плоскости падения. Установлено относительное изменение показателя преломления (10$^{-3}$) поверхностных слоев кристалла при облучении азотным лазером, обусловленное генерацией неравновесных свободных носителей в зоне проводимости материала.