RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 4, страницы 447–459 (Mi phts7870)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Релаксационная самоорганизация поверхности кристаллов кремния под воздействием СВЧ плазменной микрообработки

В. Я. Шаныгин, Р. К. Яфаров

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Приведены результаты комплексных исследований влияния на наноморфологию поверхности монокристаллов кремния кристаллографической ориентации (100) с естественным оксидным слоем низкоэнергетичной СВЧ плазменной микрообработки с различной селективностью воздействия. Рассмотрены основные характеристические параметры и модельные механизмы процессов, обеспечивающих управление наноморфологией поверхности кристаллов кремния при СВЧ плазменной микрообработке в условиях слабой адсорбции. Изложены фундаментальные причины и факторы, лежащие в основе процессов релаксационной самоорганизации наноморфологии как свободной поверхности кремния заданной кристаллографической ориентации, так и защищенной естественным оксидным покрытием под воздействием плазменной микрообработки.

Поступила в редакцию: 19.04.2012
Принята в печать: 10.05.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:4, 469–480

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025