RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 4, страницы 473–479 (Mi phts7873)

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Электрические свойства полупроводниковых квантовых точек

В. Ф. Харламов, Д. А. Коростелёв, И. Г. Богораз, О. А. Миловидова, В. О. Сергеев

Государственный университет – учебно-научно-производственный комплекс, 302020 Орел, Россия

Аннотация: Предложен метод, позволяющий получать частицы полупроводников объемом $V\approx$ 10$^{-20}$$^3$ (квантовые точки) с концентрацией до 10$^{11}$ см$^{-2}$ и электрические контакты к каждой из них. Обнаружена высокая изменчивость электрических свойств таких частиц из оксида металла (CuO или NiO) после хемосорбции молекул газов.

Поступила в редакцию: 28.04.2012
Принята в печать: 04.06.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:4, 494–500

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025