Особенности полевой генерации неосновных носителей заряда в структурах Si–SiO$_2$

Рассмотрены особенности генерационных процессов в структурах Si–SiO$_2$ при наличии сильного электрического поля в окисном слое ($E_{\mathrm{ox}}\approx$ 10 МВ/см). Показано, что при достижении определенного порогового значения напряженности электрического поля происходит подключение дополнительного механизма генерации неосновных носителей заряда в кремнии, связанного с развитием процессов электролюминесценции в окисном слое.