Электрическое детектирование циклотронного резонанса дырок в кремниевых наноструктурах

Электрическое детектирование циклотронного резонанса впервые проводится в полупроводниковых наноструктурах в отсутствие внешнего резонатора, а также источника и приемника СВЧ излучения. В качестве объекта исследования используется сверхузкая кремниевая квантовая яма $p$-типа проводимости на поверхности $n$-Si (100), ограниченная сильно легированными бором сверхпроводящими $\delta$-барьерами, которые обеспечивают СВЧ генерацию в рамках нестационарного эффекта Джозефсона. Регистрация циклотронного резонанса осуществляется при наличии микрорезонатора, встроенного в плоскость квантовой ямы, путем измерения продольного магнетосопротивления в условиях стабилизации тока исток–сток. Спектры циклотронного резонанса и их угловые зависмости, измеренные в слабом магнитном поле, идентифицируют малые значения эффективной массы легкой и тяжелой дырок в различных двумерных подзонах благодаря наличию краевых каналов с высокой подвижностью носителей.