Полевой транзистор на основе наностержней ZnO с изменяемым пороговым напряжением отсечки

Посвящена изготовлению и электрическим параметрам полевых транзисторов (FETs) с коротким каналом (2 мкм) на основе наностержней ZnO. Для изготовления полевых транзисторов использовались наностержни ZnO, полученные методом CVD-синтеза без катализатора. Хотя полевые транзисторы из коротких монокристаллических наностержней ZnO имеют хорошие электрические параметры: крутизну 100 нС, подвижность носителей 6 см$^2$/(B $\cdot$ с) и большой коэффициент запирания 10$^4$, их характеристики зависят от длины наностержней. Исследовано влияние величины напряжения сток-исток на значение порогового напряжения отсечки на затворе.