Зависимость дифференциальной емкости $p^+$–$n$-перехода от напряжения

Получены зависимости дифференциальной емкости и тока $p^+$–$n$-перехода с однородным легированием $n$-области от напряжения на области перехода. Емкость $p^+$–$n$-перехода определяет изменение заряда в области перехода с учетом изменения электрического поля квазинейтральной $n$-области и изменения биполярной дрейфовой подвижности в ней при увеличении концентрации неравновесных носителей заряда. Показано, что изменение знака емкости $p^+$–$n$-перехода с ростом уровня инжекции вызвано уменьшением биполярной дрейфовой подвижности при увеличении концентрации пар электрон-дырка в $n$-области. Показано, что с ростом обратного напряжения емкость $p^+$–$n$-перехода уменьшается и стремится к постоянному положительному значению.