RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 4, страницы 532–537 (Mi phts7881)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Изучение морфологии и оптических свойств анодных оксидных слоев на InAs(111)A

Н. А. Валишеваa, В. Н. Кручининa, О. Е. Терещенкоab, А. С. Кожуховa, Т. А. Левцоваa, С. В. Рыхлицкийa, Д. В. Щегловa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии и спектральной эллипсометрии изучено влияние состава электролита на морфологию поверхности и дисперсионные зависимости показателя преломления и коэффициента поглощения анодных слоев толщиной $\sim$ 20 нм на InAs(111)A. Показано, что окисление в электролитах различной кислотности не изменяет морфологию поверхности исходных подложек InAs. Образующиеся пленки имеют близкие дисперсионные зависимости, несмотря на различие их химического состава, что позволяет контролировать толщину анодных слоев на подложках InAs с высокой точностью методом эллипсометрии с использованием оптической модели однослойной изотропной пленки на поглощающей продложке.

Поступила в редакцию: 19.04.2012
Принята в печать: 06.06.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:4, 555–560

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025