Исследование характеристик фоторезисторов на основе гидрохимически осажденных пленок твердого раствора Pb$_{0.902}$Sn$_{0.098}$Se

Разработаны экспериментальные образцы фоторезисторов на основе полупроводниковой пленки твердого раствора Pb$_{0.902}$Sn$_{0.098}$Se, полученной по технологии послойного осаждения индивидуальных селенидов свинца и олова (II) с последующей термоактивацией. Исследованы структура и морфология тонкопленочных композиций (SnSe–PbSe)$_2$. Изучены температурные зависимости темнового сопротивления, сигнала, шумов и их соотношения, а также частотные и спектральные характеристики фоторезисторов, изготовленных на основе пленок Pb$_{0.902}$Sn$_{0.098}$Se, в диапазоне 205–300 K. Определены оптимальные значения напряжения смещения. Показано, что для фоторезисторов на основе Pb$_{0.902}$Sn$_{0.098}$Se положение максимума и правой границы фотоответа сдвигается по сравнению с PbSe в длинноволновую область спектра на 0.7 мкм. Полученное при 230 K максимальное значение обнаружительной способности исследованных фоторезисторов (2.0 $\times$ 2.0 мм) составило 9 $\cdot$ 10$^9$ см $\cdot$ Вт$^{-1}$Гц$^{1/2}$. Показаны преимущества использования фоторезисторов на основе пленок Pb$_{0.902}$Sn$_{0.098}$Se по сравнению с PbSe в спектральном диапазоне 3.0–5.5 мкм.