Использование поперечного акустоэлектрического эффекта для исследования заряжения поверхности кремния при адсорбции воды

Адсорбция воды на поверхности кремния в слоистой структуре Si–LiNbO$_3$ с воздушным зазором изучена с помощью поперечного акустоэлектрического эффекта на поверхностных акустических волнах. Обобщенный анализ данных измерений поперечного акустоэлектрического эффекта позволил устанавливать начальный изгиб зон поверхности Si, его изменения в процессе газовых циклов и соответственно знак и кинетику заряжения Si при адсорбции H$_2$O. В зависимости от свойств дефектов на поверхности полупроводника наблюдался как донорный, так и акцепторный характер взаимодействия H$_2$O с Si. На образцах с термическим окислом имело место взаимодействие донорного типа, а на образцах с реальным окислом – оба типа взаимодействия. На основе принятой физической модели заряжения окисла под действием адсорбата предложен комплексный методический подход, позволяющий целенаправленно разрабатывать акустоэлектронные структуры для сенсорных применений.