Релаксация темнового тока в монокристаллах MnGa$_2$Se$_4$

Представлены результаты исследования изотермических токов, накопления заряда в сэндвич-структурах In–MnGa$_2$Se$_4$–In. Полученные данные проанализированы на основе теории изотермических токов и эстафетного механизма переноса заряда. Показано, что релаксация темнового тока в монокристаллах MnGa$_2$Se$_4$ связана с накоплением заряда на глубоких уровнях за счет инжекции из катода. Определены следующие параметры: емкость контакта $C_k$ = 2 $\cdot$ 10$^{-13}$ Ф, толщина слоя сосредоточения заряда $d_k$ = 4 $\cdot$ 10$^{-6}$ см, дрейфовая подвижность носителей тока $\mu_3$ = 3 $\cdot$ 10$^{-8}$ cм$^2$/B $\cdot$ c в монокристаллах MnGa$_2$Se$_4$.