RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 5, страницы 608–612 (Mi phts7895)

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Резонансное неупругое рассеяние света и фотолюминесценция в изолированных квантовых точках nc-Si/SiO$_2$

Ф. Д. Байрамовab, В. В. Топоровa, Е. Д. Полоскинa, Б. Х. Байрамовa, C. Röderc, C. Sprungc, K. Bohmhammelc, J. Seidelc, G. Irmerc, A. Lashkuld, E. Lähderantad, Y. W. Songe

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
c Institutre of Theoretical Physics, University of Mining and Technology, Freiberg, Germany
d Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland
e Korea Polytechnic University, 2121, Jyndwang-dong, Siheungcity, Gyeonggi-do, 429-793, Korea

Аннотация: Сообщается об обнаружении при комнатной температуре спектров резонансного неупругого рассеяния света пространственно ограниченными оптическими фононами, а также экситонной фотолюминесценции, обусловленной эффектами размерного квантования для образцов, состоящих из ансамбля изолированных квантовых точек (КТ) nc-Si/SiO$_2$. Показано, что исследовавшиеся образцы являются сверхчистыми КТ nc-Si/SiO$_2$ высокого кристаллического совершенства без присутствия аморфной фазы $\alpha$-Si и вредных химических реагентов. Путем сравнения полученных экспериментальных данных с феноменологической теорией в модели сильного пространственного ограничения оптических фононов выявлена необходимость учета более корректной формы весовой функция для локализованных оптических фононов. Показано, что одновременная регистрация спектров неупругого рассеяния света локализованными фононами и экситонной люминесценции электронно-дырочными парами в КТ nc-Si/SiO$_2$ дает возможность самосогласованным образом при комнатной температуре определять наиболее достоверные значения диаметра КТ nc-Si/SiO$_2$.

Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 17.07.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:5, 623–627

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025