А. Е. Бердников, В. Н. Гусев, А. А. Мироненко, А. А. Попов, А. В. Перминов, А. С. Рудый, В. Д. Черномордик, “Эффект переключения проводимости в МДП структурах с диэлектриками на базе кремния, полученными методом низкочастотного плазмохимического осаждения”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 5,страницы 626

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Эффект переключения проводимости в МДП структурах с диэлектриками на базе кремния, полученными методом низкочастотного плазмохимического осаждения

А. Е. Бердников, В. Н. Гусев, А. А. Мироненко, А. А. Попов, А. В. Перминов, А. С. Рудый, В. Д. Черномордик

Ярославский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технологического института РАН

Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики МДП структур с диэлектриками на базе оксида кремния, полученных низкочастотным (55 кГц) плазмохимическим осаждением. Особенностью используемых диэлектриков были включения частиц других материалов с меньшей шириной запрещенной зоны. Установлено, что такие структуры обладают свойством биполярного переключения проводимости. Наилучшими характеристиками эффекта переключения проводимости обладали МДП структуры с многослойным диэлектриком, содержащим дополнительные слои нитрида кремния нанометровой толщины.

Поступила в редакцию: 25.06.2012
Принята в печать: 25.07.2012