Ш. Р. Адилов, М. Е. Кумеков, С. Е. Кумеков, Е. И. Теруков, “О модели формирования поликристаллического гетероперехода $n$-ZnO/$p$-CuO”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 5,страницы 642

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

О модели формирования поликристаллического гетероперехода $n$-ZnO/$p$-CuO

Ш. Р. Адилов^a, М. Е. Кумеков^b, С. Е. Кумеков^a, Е. И. Теруков^c

^a Казахский национальный технический университет им. К. И. Сатпаева, 050013 Алматы, Казахстан
^b Таразский государственный университет имени М. Х. Дулати, 080012 Тараз, Казахстан
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Рассматривается модель формирования гетероперехода на базе поликристаллических пленок оксидов цинка и меди. На основе анализа кристаллической структуры оксидов цинка и меди выявлены грани элементарных ячеек, между которыми выполняются эпитаксиальные соотношения. Показано также, что наряду с выполнением правила эпитаксиальных соотношений близость значений ионных радиусов двухзарядных ионов Cu$^{++}$ и Zn$^{++}$ дает возможность реализации поликристаллического гетероперехода в системе ZnO/CuO.

Поступила в редакцию: 19.06.2012
Принята в печать: 21.06.2012