RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 5, страницы 652–657 (Mi phts7904)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние слабого магнитного поля на микромеханические и электрофизические характеристики кремния для солнечной энергетики

В. А. Макара, О. А. Коротченков, Л. П. Стебленко, А. А. Подолян, Д. В. Калиниченко

Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко

Аннотация: Исследовано влияние постоянного магнитного поля (0.17 Тл) на микротвердость и кинетику спада фотопроводимости в кристаллах кремния, используемого в солнечной энергетике. Изучен характер изменения микромеханических и электрофизических характеристик в исследуемых образцах в зависимости от времени, прошедшего после завершения магнитной обработки. Полученные результаты обсуждаются с позиций магнитостимулированных процессов, протекающих в подсистеме структурных дефектов.

Поступила в редакцию: 08.12.2012
Принята в печать: 25.04.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:5, 665–669

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025