RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 5, страницы 675–683 (Mi phts7907)

Эта публикация цитируется в 27 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур

М. И. Векслерa, С. Э. Тягиновab, Ю. Ю. Илларионовac, Yew Kwang Singd, Ang Diing Shenpd, В. В. Федоровa, Д. В. Исаковc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b TU Vienna, Institute for Mictroelectronics, 1040 Wien, Austria
c Singapore Institute of Manufacturing Technology, 638075 Singapore
d Nanyang Technological University, 639798 Singapore

Аннотация: Предлагается алгоритм расчета вольт-амперных характеристик системы металл–туннельно-тонкий диэлектрик–полупроводник, управляемой напряжением или током. Обсуждаются физические модели, взятые за основу. Работоспособность алгоритма подтверждается сопоставлением результатов моделирования с данными измерений, как полученными непосредственно авторами, так и заимствованными из литературы, для нескольких различных структур. Предполагается, что изложенных сведений достаточно для проведения расчетов электрических характеристик интересующих структур с самыми различными сочетаниями материалов: металлический или поликремниевый затвор, одно- или многослойный диэлектрик, любые тип и уровень легирования полупроводника.

Поступила в редакцию: 06.08.2012
Принята в печать: 28.08.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:5, 686–694

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025