RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 5, страницы 684–689 (Mi phts7908)

Физика полупроводниковых приборов

Высокочастотные электрические свойства вертикально-излучающего лазера с интегрированным электрооптическим модулятором

А. М. Надточийab, W. Hofmannc, T. D. Germannc, С. А. Блохинabd, Л. Я. Карачинскийabd, М. В. Максимовab, В. А. Щукинae, А. Е. Жуковb, D. Bimbergc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
c Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, 10623 Berlin, German
d ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
e VI Systems GmbH, 10623 Berlin, Germany

Аннотация: Методом малосигнального анализа электрического отражения проведены исследования высокочастотных электрических свойств электрооптического модулятора, монолитно интегрированного в вертикально излучающий лазер. Полученные экспериментальные данные аппроксимированы с помощью предложенной эквивалентной электрической схемы, учитывающей формирование неравновесных пространственных зарядов в обедненной носителями заряда области модулятора. Полоса частот передачи высокочастотного электрического сигнала на электрооптически чувствительную область, определенная для предложенной электрической схемы замещения модулятора, составила 3 ГГц.


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:5, 695–700

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025