RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 5, страницы 702–709 (Mi phts7911)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Особенности легирования порошкообразного ZnS примесью Mn в процессе синтеза и последующего отжига

Н. Е. Корсунская, Ю. Ю. Бачериков, Т. Р. Стара, В. П. Кладько, Н. П. Баран, Ю. О. Полищук, А. В. Кучук, А. Г. Жук, Е. Ф. Венгер

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Методами люминесценции, электронного парамагнитного резонанса и рентгеновской дифракции исследованы особенности легирования порошкообразного ZnS примесью Mn в процессе самораспространяющегося высокотемпературного синтеза и последующего отжига. Полученный порошок представляет собой микрокристаллы ZnS преимущественно гексагональной фазы, (80 $\pm$ 5)%. Установлено, что после синтеза Mn присутствует не только в виде неравномерно распределенной примеси в микрокристаллах ZnS, но также в виде нанокристаллов металлического Mn. Термический отжиг при 800$^\circ$C приводит к дополнительному легированию ZnS из металлического Mn, перераспределению внедренного Mn по объему микрокристаллов, а также к окислению ZnS. В то же время соотношение кубической и гексагональной фаз не изменяется. Показано, что отжиг вызывает уменьшение концентрации дефектов, ответственных за полосы возбуждения люминесценции, соответствующие переходам из основного в возбужденные состояния иона Mn$^{2+}$. В результате отжига происходит также изменение размера области когерентного рассеяния рентгеновского излучения и интенсивности пиков в спектре возбуждения люминесценции с длинами волн 375 и 395 нм. Обсуждаются причины этих изменений и природа соответствующих полос.

Поступила в редакцию: 16.05.2012
Принята в печать: 31.05.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:5, 713–720

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025