Исследование вольт-амперных характеристик наноструктурированных пленок Pd на Si-подложке после вакуумного отжига

Представлены результаты исследований вольт-амперных характеристик наноструктурированных пленок Pd на Si-подложке. Формирование наноструктур (наноостровки) производилось методом вакуумного отжига сплошных сверхтонких пленок Pd напыленных на подложку. Показано, что форма вольт-амперных характеристик исследуемой системы “Si-подложка–Pd-пленка” существенно зависит от степени наноструктурированности пленки. Исследование поверхностной морфологии пленок производилось с использованием растровой электронной микроскопии.