Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs : Be

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs(111)B синтезированы массивы нитевидных нанокристаллов GaAs : Be. Последовательное применение процессов фотолитографии, травления и металлизации позволило создать прототипы фотоэлектрических преобразователей, в которых выращенные массивы нитевидных нанокристаллов были использованы в качестве активных слоев. Исследование фотоэлектрических свойств полученных структур, проведенное с помощью эмулятора солнечного излучения, продемонстрировало, что эффективность преобразования солнечной энергии составляет порядка 0.1%. С учетом площади, занимаемой одиночным нитевидным нанокристаллом $p$-типа на поверхности подложки GaAs $n$-типа, пересчитанное значение эффективности преобразования достигает величины 1.1%.