Сравнительные характеристики спектров комбинационного рассеяния света пленок графена на проводящих и полуизолирующих подложках 6H-SiC

Исследованы спектры комбинационного рассеяния света (КРС) графена на полуизолирующих и проводящих подложках 6H-SiC, сформированных путем предварительного и дополнительного отжига карбида кремния при различных температурах. Оценены степень совершенства пленок графена и размеры его кластеров. Показано, что для получения слоев графена с аналогичным структурным совершенством на проводящих и полуизолирующих подложках температура дополнительного отжига в первом случае должна быть выше.