RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6, страницы 821–824 (Mi phts7934)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Температурная зависимость порогового тока квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.0–2.5 мкм)

А. Н. Именковa, В. В. Шерстневa, И. В. Ковалёвa, Н. Д. Ильинскаяa, О. Ю. Серебренниковаa, R. Teissierb, А. Н. Барановb, Ю. П. Яковлевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Institut d'Electronique du Sud (IES), Université Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS 5214), 34095 Montpellier, France

Аннотация: Исследована температурная зависимость порогового тока и спектров излучения дисковых квантово-размерных WGM-лазеров в интервале температур 80–463 K, при этом длина волны лазерного излучения увеличивается от 2 до 2.5 мкм. Показано, что лазерная генерация наблюдается до 190$^\circ$C. Обнаружено преобладание излучательной рекомбинации до температуры 300 K и безызлучательной оже-рекомбинации, при которой рекомбинирующий электрон отдает энергию другому электрону, при более высоких температурах. Участие спин-орбитально отщепленной валентной подзоны в рекомбинационных процессах не обнаруживается, что объясняется механическим сжатием материала квантовых ям.

Поступила в редакцию: 17.09.2012
Принята в печать: 23.09.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:6, 831–834

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025