RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6, страницы 828–832 (Mi phts7936)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

ЭДС холостого хода неидеального гетероперехода

В. А. Борщак, В. А. Смынтына, Е. В. Бритавский, А. А. Карпенко, Н. П. Затовская

Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова

Аннотация: Показана возможность применения модели туннельно-рекомбинационного переноса для расчета эдс холостого хода освещенного неидеального гетероперехода. Применена методика фотовозбуждения светом различного спектрального состава, объяснено различие в поведении зависимости эдс от освещенности. Проведен расчет значений фотоэдс гетероперехода с учетом преобладания туннельно-рекомбинационного механизма переноса в барьерной области и с учетом изменения формы потенциального барьера при освещении. Показано, что рассчитанные при разных уровнях освещения зависимости хорошо согласуются с полученными экспериментально.

Поступила в редакцию: 15.10.2012
Принята в печать: 22.10.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:6, 838–843

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025