Фазовые превращения при металлизации Ag–In и сращивании вертикальных диодных ячеек многопереходных солнечных элементов

Исследованы условия сращивания кремниевых многопереходных солнечных элементов с вертикальными $p$–$n$-переходами с помощью припоя системы Ag–In. Изучались композиции из электроосажденных пленок индия на посеребренных методом трафаретной печати кремниевых пластинах и изготовленные путем послойного электрохимического осаждения пленки серебра и индия на поверхности посеребренных в вакууме кремниевых вертикальных диодных ячеек. Исследование условий электрохимического осаждения, структуры и морфологии поверхности полученных слоев показало, что для гарантированного сращивания допустимо использование 8-минутной термообработки при 400$^\circ$C под давлением стопки металлизированных кремниевых пластин, однако соотношение толщин слоев индия и серебра не должно превышать 1 : 3. При выполнении данного условия припой после сращивания пластин имеет структуру InAg$_3$ (или InAg$_3$ с примесью фазы Ag), благодаря чему температура плавления спая превышает 700$^\circ$C, что гарантированно обеспечивает функционирование таких солнечных элементов в условиях концентрированного освещения.