RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6, страницы 854–858 (Mi phts7940)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире

Д. А. Павлов, П. А. Шиляев, А. В. Пирогов, Н. О. Кривулин, А. И. Бобров, М. Д. Пегасина

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: На начальных стадиях гетероэпитаксии кремния на сапфире экспериментально обнаружено образование наноостровков двух форм: куполообразных и в форме усеченного купола. Получены снимки атомарного разрешения островков кремния на сапфире методом просвечивающей электронной микроскопии. В работе предложена модель, объясняющая нестабильность формы островков и их переход от изотропности к анизотропии формы, а также описывающая эволюцию средних геометрических размеров островков с увеличением времени роста. Показано, что зависимость диаметра от высоты близка к линейной, но при больших размерах островков наблюдается значительное расхождение с экспериментальными данными вследствие процесса коалесценции, который не учитывается моделью.

Поступила в редакцию: 06.08.2012
Принята в печать: 13.08.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:6, 865–869

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025